특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

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기술공개

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보건/의료 > >
줄기세포의 혈관계 또는 근육계 세포로의 분화유도 방법

대표 발명자김효수

등록 번호10-1312048

등록일2013-09-09

본 발명은 줄기세포의 전분화능 유지용 조성물, 배아줄기세포의 중배엽 세포로의 분화 유도용 조성물 및 중배엽 세포의 생산방법에 관한 것이다. 본 발명은 배아줄기세포 또는 유도만능 줄기세포와 같이 전분화능을 가진 줄기세포의 분화속도 및 분화방향을 용이하게 조절함으로써 효율적인 세포치료 보조제 등에 유용하게 이용될 수 있다.
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 나노기술
실리카 나노 입자, 이의 제조방법, 복합체 및 이의 제조방법

대표 발명자이진규

등록 번호10-1308764

등록일2013-09-09

본 발명은 실리카 나노 입자, 이의 제조방법, 나노 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 유기용매 및 조용매의 조절에 의하여 주름 형태의 표면을 가지며, 주름의 두께가 5 내지 15nm, 주름의 간격이 5 내지 80nm로 조절되는 실리카 나노 입자, 이의 제조 방법, 나노 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
보건/의료 > >
서방형 약물 전달용 마이크로칩

대표 발명자최영빈

등록 번호10-1356671

등록일2014-01-22

본 발명은 서방형 약물 전달용 마이크로칩에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서로 다른 길이의 다수의 채널이 형성된 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트 하측에 접하며, 상기 다수의 채널의 일단에 상응하는 다수의 웰이 형성된 하부 플레이트를 포함하며, 상기 채널의 상기 일단은 상기 상부 플레이트 내측에 위치하고, 상기 채널의 타단은 상기 상부 플레이트 외주면에 접하는 것을 특징으로 하는, 서방형 약물 전달용 마이크로칩에 관한 것이다.
보건/의료 > >
목적 유전자의 신경세포 타입-특이적 발현 방법 및 이를 이용한 동물 모델

대표 발명자김선영

등록 번호10-1290799

등록일2013-07-23

본 발명은 목적 유전자의 신경세포(neural cell) 타입-특이적 발현 방법 및 이를 이용한 동물 모델에 관한 것이다. 본 발명은 목적 유전자를 효과적으로 신경세포(neural cell) 타입-특이적 발현하는 방법을 제공한다. 또한, 목적 유전자의 신경세포(neural cell) 타입-특이적 발현 양상을 나타내는 동물모델을 얻기 위한 비용 절감적이고 보다 효율적인 제조방법을 제공함으로써, 신경세포에서 유전자 연구에 유용하게 이용될 수 있다.
에너지/원자력 > 에너지 >
절연성 지지 부재 상의 나노 포어 구조를 이용한 이온 소자

대표 발명자김기범

등록 번호10-1353055

등록일2014-01-13

절연성 지지 부재 상의 나노 포어 구조를 이용한 이온 소자가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 포어 구조를 이용한 이온 소자는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 챔버; 제1 영역에 위치하는 제1 전극; 제1 전극에 대향하여 상기 제2 영역에 위치하는 제2 전극; 제1 전극 및 제2 전극의 사이에 위치하고, 중심에 위치하는 나노 포어를 포함하는 나노 포어 막; 및 나노 포어 막을 지지하도록 나노 포어의 주변에 위치하는 절연성 지지 부재를 포함하고, 제1 전극 및 제2 전극에 인가되는 전기적 신호에 의해 나노 포어를 통과하는 이온 이...
전기/전자 > 전자부품 > 메모리
바디를 공유하는 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이

대표 발명자이종호

등록 번호10-1362219

등록일2014-02-06

본 발명은 수직으로 적층된 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이에 관한 것으로, 메모리 셀 스트링 스택은 스택의 일 측면에, 메모리 어레이는 셀 스택 사이에 각각 수직으로 셀 스트링의 바디를 연결시키는 바디 연결 부재를 형성함으로써, 평면 구조에서와 같이 스택 단위로 또는 이웃 스택 등 모듈로 구성된 소정의 스택을 한꺼번에, 나아가 어레이로 형성된 스택 전체를 동시에 지울 수 있는 메모리 셀 스트링 스택 및 이를 이용한 메모리 어레이를 제공한다.
전기/전자 > 전자부품 > LED
광소자 및 그 제조방법

대표 발명자이규철

등록 번호10-1267450

등록일2013-05-20

본 발명에 따른 광소자는 투명한 비정질의 기판; 상기 기판 상에 형성된전류주입층; 상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및 상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하고, 비정질 기판에 흑연층을 형성한 후 반도체부를 형성함으로써, 종래의 비정질 기판에 반도체부 형성의 문제점을 보완할 수 있으며, 우수한 결정성을 갖는 반도체부를 형성할 수 있는 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
전기/전자 > 전자부품 > 트랜지스터
단전자 트랜지스터 및 그 제조방법

대표 발명자박병국

등록 번호10-1246306

등록일2013-03-15

본 발명은 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존 CMOS 공정을 통해 기판의 돌출부에 형성된 소스 영역, 측벽 절연막 및 드레인 영역에 의하여 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 속에 터널링 절연막 및 게이트 절연막으로 양자점을 둘러싸도록 함으로써, 양자점의 크기를 효과적으로 줄일 수 있고, CMOS 공정으로 제조되는 소자와 하나의 기판에 동시 집적할 수 있는 효과가 있다.
전기/전자 > 전자부품 > 메모리
가중치 전극을 갖는 3차원 수직형 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법

대표 발명자이종호

등록 번호10-1329586

등록일2013-11-08

본 발명은 수직형 반도체 메모리 셀 스트링, 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 MOS 기반 플래시 메모리 소자의 축소화 특성과 성능을 개선하고 메모리 용량을 늘리기 위하여 바디를 공유하는 이웃한 셀 스택 사이마다 플로팅 게이트 형태의 가중치 전극, 터널링 절연막 및 가중치 제어 전극을 구비한 3차원 수직형 메모리 셀 스트링과 이를 이용한 메모리 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 촉매
탄소층 기판을 포함하는 광촉매

대표 발명자이규철

등록 번호10-1319661

등록일2013-10-11

본 발명은 그래핀 혹은 그라파이트를 기판으로 사용함으로써 기판 상에 광촉매층을 성장한 후 이동이 가능하며, 투명한 그래핀을 기판으로 사용함에 따라 사용 용도가 증가하는 효과를 가지도록 한 것으로, 본 발명에 의하면, 탄소층으로 이루어진 기판과; 상기 기판 상에 형성된 산화물계 또는 질화물계 나노 소재로 구성된 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소층 기판을 포함하는 광촉매를 제공한다.

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