특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

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기술공개

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농림생활식품 > 식물자원과학 > 유전공학
식물의 뿌리털 발달 조절 유전자 ｒｈｓ10 및 이를 이용한 식물의 뿌리털 발달 조절 방법

대표 발명자조형택

등록 번호10-1112673

등록일2012-01-30

본 발명은 식물의 뿌리털에서만 발현되는 식물의 뿌리털 발달 조절 유전자,이를 이용한 식물의 뿌리털 발달 조절방법 및 뿌리털 발달이 조절된 식물체에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 애기장대(Arabidopsis thaliana)로부터 분리된 식물의 뿌리털 발달 조절 유전자 RHS10, 상기 유전자로 식물체를 형질전환시킴으로써 식물체의 뿌리털 발달을 조절하는 방법 및 뿌리털의 발달이 조절된 식물체에 관한 것이다. 본 발명에서 분리된 RHS10 유전자 및 상기 유전자로부터 발현되는 단백질은 식물의 뿌리털 발달의 조절, 뿌리털 발달과 관련된 형질의 개선, 및 타...
농림생활식품 > 식물자원과학 > 유전공학
식물의 뿌리털 발달 조절 유전자 ｒｈｓ1 및 이를 이용한 식물의 뿌리털 발달 조절 방법

대표 발명자조형택

등록 번호10-1112703

등록일2012-01-30

본 발명은 식물의 뿌리털에서만 발현되는 식물의 뿌리털 발달 조절 유전자,이를 이용한 식물의 뿌리털 발달 조절방법 및 뿌리털 발달이 조절된 식물체에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 애기장대(Arabidopsisthaliana)로부터 분리된 식물의 뿌리털 발달 조절 유전자 RHS1, 상기 유전자로 식물체를 형질전환시킴으로써 식물체의 뿌리털 발달을 조절하는 방법 및 뿌리털 발달이 조절된 식물체에 관한 것이다. 본 발명에서 분리된 RHS1 유전자 및 상기 유전자로부터 발현되는 단백질은 식물의 뿌리털 발달의 조절, 뿌리털 발달과 관련된 형질의 개선, 및 타 식...
전기/전자 > 전자부품 > OLED
투명 중간 전극을 갖는 직렬식 유기 소자

대표 발명자이창희

등록 번호10-1074665

등록일2011-10-12

본 발명은 하나 이상의 투명 중간 전극을 사용하는 직렬식 유기 소자, 예컨대 직렬식 유기 발광 소자 및 유기 태양전지에 관한 것으로, 이 중간 전극은 외부 전원과 직접 연결되지 않으며, 금속과 불화물의 도핑으로 이루어진 n형 반도체 층과 금속 산화막으로 형성된 p형 반도체 층의 새로운 pn접합으로 형성된다. 중간전극의 도핑된 n형 반도체 층은 기존의 단순 적층형 중간전극에 비해 광 투과도, 전하 주입 및 전하 생성/재결합 특성의 향상에 기여하여 고효율 유기 소자를 제작할 수 있다.
농림생활식품 > 농업과학 > 기계/장치
탄산시비 효율 증진을 위한 재배기

대표 발명자전창후

등록 번호10-1104094

등록일2012-01-03

본 발명은 딸기 재배 공간 내에 탄산가스의 체류 시간을 증가시켜 설정치의 농도로 장시간 유지할 수 있어 재배 효율을 높일 수 있는 탄산시비 효율 증진을 위한 재배기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 길이방향으로 연장되고, 상부 개방형의 표면에 재배 공간이 마련된 베드; 상기 베드의 양 측단부에 길이방향을 따라 높이 방향으로 각각 연장된 윈드 브레이크; 및 상기 베드의 표면으로부터 이격 배치되고, 표면에 복수의 분사홀이 형성된 공급 파이프를 포함하되, 기 파이프 내를 유동하는 탄산가스가 분사홀을 통하여 베드의 재배 공간으로 분...
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 센서
단계식 및 이력현상 기체 흡탈착 특성을 갖는 금속-유기 골격체 및 이를 포함하는 기체 저장체 및 금속-유기 골...

대표 발명자백명현

등록 번호10-1176878

등록일2012-08-20

본 발명은 낮은 압력에서도 기체를 흡착하는 침투 3D 골격체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 [화학식 1]로 표현되는 3D 금속-유기 골격체 또는 이의 용매화물이다. 본 발명의 금속-유기 골격체는 기체 흡탈착이 단계식 및 이력현상을 보이며 낮은 압력뿐만 아니라 다양한 범위의 압력에서 우수한 기체 흡착량을 보인다. 본 발명의 금속-유기 골격체는 기체 저장체로서 흡착 및 분리, 이온교환, 촉매, 센서, 결정학 고안 등의 분야에서 유용하게 사용할 수 있다.
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 촉매
중형기공성 니켈-알루미나 혼성촉매, 그 제조방법 및 상기 촉매를 이용한 액화천연가스의 수증기 개질반응에 의한 ...

대표 발명자송인규

등록 번호10-1040657

등록일2011-06-03

본 발명은 중형기공성 니켈-알루미나 혼성촉매, 그 제조방법 및 상기 촉매를 이용한 액화천연가스(LNG)의 수증기 개질반응에 의한 수소가스 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액화천연가스의 수증기 개질반응에 의한 수소가스 제조에 사용되며, 블록공중합체를 구조유도체로 하여 니켈/알루미늄의 원자비가 0.01 내지 1 범위로 혼재된 알루미늄전구체와 니켈전구체를 동시에 수화 및 열처리시켜 제조되며, 평균 기공이 2 내지 10nm 범위인 것을 특징으로 하는 중형기공성 니켈-알루미나 혼성촉매, 그 제조방법 및 상기 촉매를 이용한 액화천연가스(LNG)의 수증기 개질반응에 의한 수소가스 제조...
보건/의료 > >
생체외 모델에 의한 신경재생물질 탐색 방법

대표 발명자장미숙

등록 번호10-0930221

등록일2009-11-30

본 발명은 생체외(ex vivo) 모델에 의한 신경재생물질 탐색 방법에 관한 방법으로, 구체적으로 척수 조직 절편을 이용하여 신경세포 재생 효과를 지니는 물질을 탐색하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 척수 조직 절편의 생체을 이용한 신경재생물질의 탐색방법은 신경 질환 등의 치료제 개발에 유용하게 이용될 수 있다.
전기/전자 > 전자부품 > 트랜지스터
비대칭 쇼트키 장벽을 이용한 ｔｆｅｔ 및 그 제조방법

대표 발명자박병국

등록 번호10-1030983

등록일2011-04-18

본 발명은 비대칭 TFET의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 자기 정렬된(self-aligned) 공정 및 측벽 공정을 통하여 나노 스케일의 짧은 채널을 갖고 소스를 금속 실리사이드로 형성함으로써, 소스와 채널 사이에 형성되는 쇼트키 장벽(Schottky barrier)을 이용한 TFET 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전기/전자 > 전자부품 > 메모리
Ｐｒａｍ 물질층을 삽입층으로 갖는 ｒｒａｍ 셀 및 이를 이용한 ｒｒａｍ 어레이

대표 발명자박병국

등록 번호10-1034975

등록일2011-05-07

본 발명은 종래 RRAM 셀 구조에 전도 경로 개폐용으로 하나 이상의 PRAM 물질층을 삽입층으로 적절히 형성함으로써, PRAM 물질층의 갯수에 따라 2bit, 4bit 등으로 MLC 동작이 가능하게 하여 결과적으로 고집적성 RRAM 어레이 구현이 가능하게 한 PRAM 물질층을 삽입층으로 갖는 RRAM 셀 및 이를 이용한 RRAM 어레이에 관한 것이다.
전기/전자 > 전자부품 > 메모리
스타 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법

대표 발명자박병국

등록 번호10-1036155

등록일2011-05-16

본 발명은 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메모리 셀이 직렬로 연결된 비트라인을 수직 적층형태로 쌓고, 여러 층의 비트라인을 감싸며 동시에 공유하도록 워드라인을 구비함으로써, 메모리 셀이 게이트 올 어라운드(Gate All Around: GAA) 구조를 갖도록 하는 스타 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.

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