특허 네비게이션 | 서울대학교 산학협력단

우수한 기술이 국내외 사회 전반에 활용될 수 있는 다양한 기회를 만들어내겠습니다

기술공개

기술공개: SNU_TIP 기술마케팅 기술공개 파트너쉽

특허 네비게이션: 기술이전 소개 특허 네비게이션 기술홍보

전기/전자 > 전기전자 > 스핀파 소자
강한 스핀파 발생 방법 및 스핀파를 이용한 초고속 정보처리 스핀파 소자

대표 발명자김상국

등록 번호10-0819142

등록일2008-03-27

강한 스핀파를 발생시키는 방법, 스핀파와 전자기파를 동시에 발생시키는 방법, 스핀파를 이용한 논리 연산 소자 및 이를 응용한 다양한 스핀파 소자, 그리고 스핀파의 위상 제어 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스핀파 발생 방법에서는, 자기 소용돌이(magnetic vortex), 자기 반-소용돌이(magnetic antivortex) 스핀 구조가 단독 혹은 함께 존재하는 자성체에 다양한 형태의 에너지를 공급하여 강한 스핀파를 발생시킨다. 자기 소용돌이 또는 자기 반-소용돌이를 형성할 수 있도록 패턴된 자성체에 에너지를 인가하면, 자기 소용돌이 중심부(vortex core)에 강한 토크를 유발하여 그 소용돌이 중심부로...
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 촉매
마이크로 반응기의 제조방법

대표 발명자김재정

등록 번호10-0832040

등록일2008-05-19

본 발명은 마이크로 반응기 내부에 형성된 미세 유로에서의 촉매 반응을 수반하는 화학 반응을 일으키기 위하여 미세 유로가 촉매 층에 의한 막힘 현상이 없도록 미세 유로의 내벽에만 효과적으로 촉매 층을 코팅할 수 있는 방법을 제시한다. 본 발명에서는 슬러리 형태의 촉매 코팅액을 이용하여 채우기-건조법(fill and dry coating)을 적용함으로써, 마이크로 반응기의 미세 유로 내벽에만 촉매 층의 코팅이 이루어지도록 하였다. 또한 미세 유로 표면과 촉매 층과의 접착력 향상을 위하여 미세 유로 표면에 실리콘 산화막을 형성하였다. 본 발명의 기본 개념인 채우기-건조법에 따르면, 미세 유로의 ...
보건/의료 > >
Ｐｒｖ, ｐｃｍｖ 및 ｐｃｖ에 특이적인 다중 프라이머세트 및 그를 이용한 바이러스 검출 방법 및 키트

대표 발명자박봉균

등록 번호10-0806868

등록일2008-02-18

본 발명은 서열번호 1의 뉴클레오티드 서열을 갖는 G1 프라이머 및 서열번호 2의 뉴클레오티드 서열을 갖는 G2 프라이머를 포함하는 PRV의 gG 유전자 증폭용 프라이머 세트; 서열번호 3의 뉴클레오티드 서열을 갖는 B1 프라이머 및 서열번호 4의 뉴클레오티드 서열을 갖는 B2 프라이머를 포함하는 PCMV의 gB 유전자 증폭용 프라이머 세트; 및 서열번호 5의 뉴클레오티드 서열을 갖는 pcv1 프라이머 및 서열번호 6의 뉴클레오티드 서열을 갖는 pcv2 프라이머를 포함하는 PCV의 ORF1(open reading frame 1) 유전자 증폭용 프라이머 세트를 포함하는, PRV, PCMV 및 PCV에 특이적...
나노정밀화학/화학소재 > 화학재료 > 내산화제
구리 화학적 기계적 연마공정용 슬러리 및 이를 이용한구리 배선 형성방법

대표 발명자김재정

등록 번호10-0856542

등록일2008-08-28

구리 배선 형성 공정 중 평탄화를 목적으로 사용되는 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정 후에 공기 또는 물에 노출된 구리의 저항을 증가시키는 산화를 억제하거나 확산을 방지하기 위한 슬러리 및 이를 이용한 구리 배선 형성방법에 대해 개시한다. 본 발명의 가장 큰 특징은, 슬러리의 주성분이 용매제, 연마제, 산화제, 부식억제제, 착물형성제로 구성되어 있으며, 구리의 산화 또는 확산 방지를 위해 은(silver)계 화합물을 더 포함한다는 것이다. 이러한 슬러리를 이용하여 구리 CMP 공정을 진행하면, 구리 표면이 은으로 치환되며, 산화에 대한 저항성이 ...
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 박막증착장치
바이어스를 이용한 막 증착 방법

대표 발명자황농문

등록 번호10-0846718

등록일2008-07-10

증착 속도와 막의 특성 조절이 가능한 막 증착 장치 및 막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버, 반응 가스를 챔버 내에 도입하는 가스 공급계, 도입되는 반응 가스를 해리시키기 위하여 열을 방출하는 필라멘트, 일정한 교류 및 직류 전압을 인가할 수 있는 전원, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 전원으로부터 인가된 전압을 이용해 기판의 상부, 측부 및 하부 중 적어도 어느 한 부분에 바이어스를 인가하며 기판과는 분리된 바이어스 도입부를 포함한다. 본 발명에 따른 막 증착 방법은 이러한 막 증착 장치 또는 다른 막 증...
전기/전자 > 전자부품 > 트랜지스터
낮은 누설전류를 갖는 ｆｉｎ 전계효과트랜지스터 및 그제조 방법

대표 발명자이종호

등록 번호10-0748261

등록일2007-08-03

본 발명은 낮은 누설 전류를 갖는 Fin 전계효과트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 Fin 전계효과트랜지스터는 벌크 실리콘 기판, 상기 기판위에 패터닝되어 형성된 담장형 바디, 상기 기판의 표면과 상기 담장형 바디의 일정 높이까지 형성된 절연막, 상기 절연막이 형성되지 않은 상기 담장형 바디의 측벽 및 상부 표면에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막위에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극이 형성되지 않은 상기 담장형 바디의 소정의 영역에 형성되는 소오스/드레인 영역을 포함한다. 상기 게이트 전극은 일함수가 서로 다른 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전...
정보/통신 > 통신 > 신호 변조/복조
직교주파수 분할 다중 시스템의 최대전력 대 평균전력 비감소방법, 및 그 서브블록 분할 시퀀스 생성방법

대표 발명자노종선

등록 번호10-0717972

등록일2007-05-08

OFDM 시스템의 PAPR 감소방법 및 서브 블록 분할 시퀀스 생성방법이 개시된다. 본 발명에 따른 OFDM 시스템의 PAPR 감소방법은, 길이가 2n(n은 자연수)인 역고속 푸리에 변환을 1단계부터 l단계(l은 n보다 작은 자연수), 및 l+1부터 n단계로 나누는 단계와, l단계에서의 신호 시퀀스에 대하여 V개의 신호 서브 시퀀스를 생성하는 단계와, 나머지 n-l 단계의 역고속 푸리에 변환 연산을 각각 수행하며, 그 각각에 대응되는 위상벡터를 곱하고 합산하여 OFDM 신호를 생성하는 단계, 및 신호 생성단계에 의해 생성된 신호 중 가장 작은 PAPR을 가지는 데이...
농림생활식품 > 농업과학 > 농업
대두의 리폭시게나아제 ２에 존재하는 유전적 마커

대표 발명자이석하

등록 번호10-0808932

등록일2008-02-25

본 발명은 대두 리폭시게나아제 2(LOX 2) 유전자의 신규한 5’인접 서열, 대두에서의 콩비린내 특성과 관련된 유전적 마커에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 복잡한 데이터 수집을 요구하는 표현형 결정(phenotyping) 및 접종 과정 없이, 식물체의 초기 성장 단계에서 콩비린내가 없는 변이체를 신속하게 스크리닝할 수 있다. 본 발명의 마커는 다른 유전자형 결정(genotyping) 방법보다 신속하고, 재현성이 우수하며 저가의 유전자형 결정 방법을 제공하는 것을 가능하게 한다.
전기/전자 > 전자부품 > 반도체소자
쇼트키 포토다이오드

대표 발명자김형준

등록 번호10-0822703

등록일2008-04-10

본 발명은 쇼트키(Schottky) 포토다이오드에 관한 것으로서, 반도체 에피층 상부의 일부 영역에만 금속박막을 쇼트키 접촉(Schottky Contact)하도록 증착시킨 구조의 쇼트키 포토다이오드를 제공하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구조를 통해, 금속박막에서 흡수 및 손실되는 광은 최소화시키고, 반도체 에피층에 도달하는 광 에너지는 극대화시킬 수 있으므로, 반도체 에피층 상부 전면에 금속박막을 쇼트키 접촉하도록 증착시킨 종래의 구조에 비해서, 낮은 에너지를 갖는 광의 감지율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
나노정밀화학/화학소재 > 나노정밀 > 나노기술
분산 중합을 이용한 수분산 폴리아닐린 나노 입자의제조방법

대표 발명자장정식

등록 번호10-0793319

등록일2008-01-03

본 발명은 수분산 폴리아닐린 나노입자의 제조에 관한 것으로, 분산안정제로 사용되는 음(-)의 전하를 갖는 스타이렌술포네이트(styrenesulfonate) 단량체를 수용액에 용해시킨 후, 다른 수용액 상에서 염산과 아닐린 단량체를 교반하여 아닐린 단량체를 아닐리니움 이온으로 형성한 후, 위의 두 용액을 서로 혼합하여 교반한 뒤 전하-전하 정전기적 인력에 의하여 스타이렌술포네이트 단량체와 아닐리니움 이온의 착화합물을 형성한 후, 각각의 단량체의 중합법인 용액 중합 (solution polymerization) 및 산화 중합 (oxidation polymerization) 반응에 의한 폴리아닐린 나노 입자를 제조하는 방법을 제공...

571 572 573 574 575 576 577 578 579

관심목록에 추가되었습니다.

관심설정이 해제되었습니다.